SI4116DY-T1-GE3

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MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

NOVA部品番号:

312-2264387-SI4116DY-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI4116DY-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 25 V 18A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOIC
基本製品番号	SI4116
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	18A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	2.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	8.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	56 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (最大)	±12V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	25 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1925 pF @ 15 V
消費電力(最大)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
その他の名前	SI4116DY-T1-GE3TR SI4116DY-T1-GE3DKR SI4116DY-T1-GE3CT SI4116DYT1GE3