アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
SI4168DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
NOVA部品番号:
312-2277876-SI4168DY-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SI4168DY-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 30 V 24A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| 基本製品番号 | SI4168 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 24A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 5.7mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1720 pF @ 15 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) | |
| その他の名前 | SI4168DY-T1-GE3TR SI4168DY-T1-GE3-ND SI4168DYT1GE3 SI4168DY-T1-GE3DKR SI4168DY-T1-GE3CT |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
IRF7805ZTRPBFInfineon Technologies
AOSP32368Alpha & Omega Semiconductor Inc.
