SI4431BDY-T1-E3

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MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO

NOVA部品番号:

312-2264253-SI4431BDY-T1-E3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI4431BDY-T1-E3

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 30 V 5.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOIC
基本製品番号	SI4431
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	5.7A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	30mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	20 nC @ 5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
消費電力(最大)	1.5W (Ta)
その他の名前	SI4431BDY-T1-E3DKR SI4431BDY-T1-E3CT SI4431BDY-T1-E3TR SI4431BDYT1E3