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SQM40N10-30_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
NOVA部品番号:
312-2279487-SQM40N10-30_GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SQM40N10-30_GE3
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
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N-Channel 100 V 40A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263 (D²Pak) | |
| 基本製品番号 | SQM40 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 30mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3345 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 107W (Tc) | |
| その他の名前 | SQM40N10-30_GE3-ND SQM40N10-30_GE3CT SQM40N10-30_GE3TR SQM40N10-30-GE3 SQM40N10-30-GE3-ND SQM40N10-30_GE3DKR |
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