N-Channel 650 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO252-3-313 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | CoolMOS™ E6 | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 320µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 710 pF @ 100 V | |
消費電力(最大) | 83W (Tc) | |
その他の名前 | INFINFIPD65R380E6 2156-IPD65R380E6 |
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