RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6 V 10 mA 800MHz 22dB - USQ
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - RF | |
製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
サプライヤーデバイスパッケージ | USQ | |
基本製品番号 | 3SK293 | |
シリーズ | - | |
得 | 22dB | |
電圧 - テスト | 6 V | |
雑音指数 | 2.5dB | |
電流 - テスト | 10 mA | |
電力出力 | - | |
パッケージ・ケース | SC-82A, SOT-343 | |
定格電流 (アンペア) | 30mA | |
電圧 - 定格 | 12.5 V | |
周波数 | 800MHz | |
トランジスタの種類 | N-Channel Dual Gate | |
その他の名前 | 3SK293TE85LF 3SK293(TE85LF)TR 3SK293(TE85LF)CT 3SK293 (TE85L,F 3SK293(TE85LF)DKR 3SK293 (TE85LF) |
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