アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
SI3586DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
NOVA部品番号:
303-2254142-SI3586DV-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SI3586DV-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 6-TSOP | |
| 基本製品番号 | SI3586 | |
| パッケージ・ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 2.9A, 2.1A | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 60mOhm @ 3.4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.1V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 6nC @ 4.5V | |
| FETの特徴 | Logic Level Gate | |
| FETタイプ | N and P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | - | |
| パワー - 最大 | 830mW | |
| その他の名前 | SI3586DV-T1-GE3TR SI3586DV-T1-GE3DKR SI3586DV-T1-GE3CT SI3586DVT1GE3 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。