Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.6A 2W Surface Mount 8-SO
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SO | |
基本製品番号 | IRF9389 | |
パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
シリーズ | HEXFET® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 6.8A, 4.6A | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 27mOhm @ 6.8A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.3V @ 10µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 14nC @ 10V | |
FETの特徴 | Logic Level Gate | |
FETタイプ | N and P-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 398pF @ 15V | |
パワー - 最大 | 2W | |
その他の名前 | SP001555848 |
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