SI1926DL-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

NOVA部品番号:

303-2249279-SI1926DL-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI1926DL-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

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ワシ

キッカド

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 370mA 510mW Surface Mount SC-70-6

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SC-70-6
基本製品番号	SI1926
パッケージ・ケース	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	370mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.4Ohm @ 340mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	1.4nC @ 10V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	18.5pF @ 30V
パワー - 最大	510mW
その他の名前	SI1926DL-T1-GE3CT SI1926DL-T1-GE3-ND SI1926DL-T1-GE3DKR SI1926DL-T1-GE3TR

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