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SIS932EDN-T1-GE3
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
NOVA部品番号:
303-2249052-SIS932EDN-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SIS932EDN-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| 基本製品番号 | SIS932 | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 6A (Tc) | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 22mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 14nC @ 4.5V | |
| FETの特徴 | Standard | |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1000pF @ 15V | |
| パワー - 最大 | 2.6W (Ta), 23W (Tc) | |
| その他の名前 | SIS932EDN-T1-GE3TR SIS932EDN-T1-GE3CT SIS932EDN-T1-GE3DKR |
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