SIZ260DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3

NOVA部品番号:

303-2249062-SIZ260DT-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIZ260DT-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-PowerPair® (3.3x3.3)
基本製品番号	SIZ260
パッケージ・ケース	8-PowerWDFN
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	27nC @ 10V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	80V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	820pF @ 40V
パワー - 最大	4.3W (Ta), 33W (Tc)
その他の名前	742-SIZ260DT-T1-GE3TR 742-SIZ260DT-T1-GE3CT 742-SIZ260DT-T1-GE3DKR

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