アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
NTMD6601NR2G
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
NOVA部品番号:
303-2253955-NTMD6601NR2G
製造元:
製造メーカー部品番号:
NTMD6601NR2G
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| 基本製品番号 | NTMD66 | |
| パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.1A | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 215mOhm @ 2.2A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 15nC @ 10V | |
| FETの特徴 | Logic Level Gate | |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 400pF @ 25V | |
| パワー - 最大 | 600mW | |
| その他の名前 | ONSONSNTMD6601NR2G 2156-NTMD6601NR2G-ONTR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
SQJQ980EL-T1_GE3Vishay Siliconix
FDSS2407Fairchild Semiconductor
