SI7997DP-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
NOVA部品番号:
303-2250189-SI7997DP-T1-GE3
製造メーカー部品番号:
SI7997DP-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元Vishay Siliconix
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
基本製品番号 SI7997
パッケージ・ケースPowerPAK® SO-8 Dual
シリーズTrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 60A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 160nC @ 10V
FETの特徴Standard
FETタイプ2 P-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 6200pF @ 15V
パワー - 最大 46W
その他の名前SI7997DP-T1-GE3DKR
SI7997DP-T1-GE3TR
SI7997DP-T1-GE3CT
SI7997DPT1GE3

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