SQJQ910EL-T1

SQJQ910EL-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

NOVA部品番号:

303-2250257-SQJQ910EL-T1_GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SQJQ910EL-T1_GE3

ひょうじゅんほうそう:

2,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® 8 x 8 Dual
基本製品番号	SQJQ910
パッケージ・ケース	PowerPAK® 8 x 8 Dual
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	70A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	8.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	58nC @ 10V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2832pF @ 50V
パワー - 最大	187W
その他の名前	SQJQ910EL-T1_GE3DKR SQJQ910EL-T1_GE3-ND SQJQ910EL-T1_GE3TR SQJQ910EL-T1_GE3CT

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