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VQ1001P
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
NOVA部品番号:
303-2255350-VQ1001P
製造元:
製造メーカー部品番号:
VQ1001P
ひょうじゅんほうそう:
25
技術データシート:
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Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 14-DIP | |
| 基本製品番号 | VQ1001 | |
| パッケージ・ケース | - | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 830mA | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.75Ohm @ 200mA, 5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | - | |
| FETの特徴 | Logic Level Gate | |
| FETタイプ | 4 N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 110pF @ 15V | |
| パワー - 最大 | 2W |
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