Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA - Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | EPC | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 9-BGA (1.35x1.35) | |
パッケージ・ケース | 9-VFBGA | |
シリーズ | eGaN® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V | |
FETの特徴 | GaNFET (Gallium Nitride) | |
FETタイプ | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60V, 100V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V | |
パワー - 最大 | - | |
その他の名前 | 917-1169-1 917-1169-2 917-1169-6 |
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