Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | MO-036AB | |
基本製品番号 | 2N7334 | |
パッケージ・ケース | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | |
シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/597 | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1A | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 700mOhm @ 600mA, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 60nC @ 10V | |
FETの特徴 | Standard | |
FETタイプ | 4 N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | - | |
パワー - 最大 | 1.4W | |
その他の名前 | JAN2N7334-MIL 150-JAN2N7334 JAN2N7334-ND |
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