Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.9A, 3.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SO | |
基本製品番号 | ZXMC6A09 | |
パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
シリーズ | - | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3.9A, 3.7A | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 45mOhm @ 8.2A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250µA (Min) | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 24.2nC @ 10V | |
FETの特徴 | Logic Level Gate | |
FETタイプ | N and P-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1407pF @ 40V | |
パワー - 最大 | 1.8W | |
その他の名前 | ZXMC6A09DN8TATR ZXMC6A09DN8TACT-NDR ZXMC6A09DN8TACT ZXMC6A09DN8TATR-NDR ZXMC6A09DN8TADKR |
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