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QJD1210011
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
NOVA部品番号:
303-2255640-QJD1210011
製造元:
製造メーカー部品番号:
QJD1210011
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:
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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 900W Chassis Mount Module
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | Powerex Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Chassis Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Module | |
| パッケージ・ケース | Module | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 10mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 500nC @ 20V | |
| FETの特徴 | Silicon Carbide (SiC) | |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 10200pF @ 800V | |
| パワー - 最大 | 900W |
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