SQUN702E-T1

SQUN702E-T1_GE3

MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN

NOVA部品番号:

303-2250284-SQUN702E-T1_GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SQUN702E-T1_GE3

ひょうじゅんほうそう:

2,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 40V, 200V 30A (Tc), 20A (Tc) 48W (Tc), 60W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank Die

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount, Wettable Flank
サプライヤーデバイスパッケージ	Die
基本製品番号	SQUN702
パッケージ・ケース	Die
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	30A (Tc), 20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	23nC @ 20V, 14nC @ 20V, 30.2nC @ 100V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	N and P-Channel, Common Drain
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40V, 200V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1474pF @ 20V, 1450pF @ 20V, 1302pF @ 100V
パワー - 最大	48W (Tc), 60W (Tc)
その他の名前	SQUN702E-T1_GE3DKR SQUN702E-T1_GE3CT SQUN702E-T1_GE3TR

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