SI4562DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
NOVA部品番号:
303-2254947-SI4562DY-T1-E3
製造メーカー部品番号:
SI4562DY-T1-E3
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

Mosfet Array N and P-Channel 20V - 2W Surface Mount 8-SOIC

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元Vishay Siliconix
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
基本製品番号 SI4562
パッケージ・ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
シリーズTrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C -
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID 1.6V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 50nC @ 4.5V
FETの特徴Logic Level Gate
FETタイプN and P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds -
パワー - 最大 2W
その他の名前SI4562DYT1E3
SI4562DY-T1-E3-ND
SI4562DY-T1-E3TR
SI4562DY-T1-E3CT
SI4562DY-T1-E3DKR

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