Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 6-TSOP | |
基本製品番号 | IRF5852 | |
パッケージ・ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
シリーズ | HEXFET® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 2.7A | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 90mOhm @ 2.7A, 4.5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.25V @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 6nC @ 4.5V | |
FETの特徴 | Logic Level Gate | |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 400pF @ 15V | |
パワー - 最大 | 960mW | |
その他の名前 | IRF5852TRPBF-ND IRF5852TRPBFCT SP001554076 IRF5852TRPBFDKR IRF5852TRPBFTR |
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