APTM100VDA35T3G

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
NOVA部品番号:
303-2255103-APTM100VDA35T3G
製造メーカー部品番号:
APTM100VDA35T3G
ひょうじゅんほうそう:
1

利用可能なダウンロード形式

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3

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カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元Microsemi Corporation
RoHS 1
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプChassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SP3
パッケージ・ケースSP3
シリーズPOWER MOS 7®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 22A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 5V @ 2.5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 186nC @ 10V
FETの特徴Standard
FETタイプ2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)1000V (1kV)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 5200pF @ 25V
パワー - 最大 390W
その他の名前APTM100VDA35T3G-ND
150-APTM100VDA35T3G

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