Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Chassis Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | SP3 | |
パッケージ・ケース | SP3 | |
シリーズ | POWER MOS 7® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 22A | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 420mOhm @ 11A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 2.5mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 186nC @ 10V | |
FETの特徴 | Standard | |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1000V (1kV) | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 5200pF @ 25V | |
パワー - 最大 | 390W | |
その他の名前 | APTM100VDA35T3G-ND 150-APTM100VDA35T3G |
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