Mosfet Array 6 N-Channel 1200V (1.2kV) 400A (Tj) 20mW Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Chassis Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | AG-HYBRIDD-2 | |
パッケージ・ケース | Module | |
シリーズ | HybridPACK™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 400A (Tj) | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3.7mOhm @ 400A, 15V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 5.55V @ 240mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 1320nC @ 15V | |
FETの特徴 | Silicon Carbide (SiC) | |
FETタイプ | 6 N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 600V | |
パワー - 最大 | 20mW | |
その他の名前 | 448-FS03MR12A6MA1B SP001720764 |
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