CAB530M12BM3

1200V, 530A H-BRIDGE SIC MODULE
NOVA部品番号:
303-2252737-CAB530M12BM3
製造元:
製造メーカー部品番号:
CAB530M12BM3
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel 1200V (1.2kV) 530A - Chassis Mount Module

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元Wolfspeed, Inc.
RoHS 1
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプChassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Module
パッケージ・ケースModule
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 530A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 3.55mOhm @ 530A, 15V
Vgs(th) (最大) @ ID 3.6V @ 140mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 1362nC @ 4V
FETの特徴Silicon Carbide (SiC)
FETタイプ2 N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)1200V (1.2kV)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 39.6nF @ 800V
パワー - 最大 -
その他の名前1697-CAB530M12BM3
-3312-CAB530M12BM3

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