EPC2106

GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
NOVA部品番号:
303-2247419-EPC2106
製造元:
製造メーカー部品番号:
EPC2106
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A - Surface Mount Die

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元EPC
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Die
パッケージ・ケースDie
シリーズeGaN®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 1.7A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 70mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID 2.5V @ 600µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 0.73nC @ 5V
FETの特徴GaNFET (Gallium Nitride)
FETタイプ2 N-Channel (Half Bridge)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)100V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 75pF @ 50V
パワー - 最大 -
その他の名前917-1110-2
917-1110-1
917-1110-6

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