Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A - Surface Mount Die
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | EPC | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | Die | |
パッケージ・ケース | Die | |
シリーズ | eGaN® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.7A | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 70mOhm @ 2A, 5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 600µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 0.73nC @ 5V | |
FETの特徴 | GaNFET (Gallium Nitride) | |
FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 75pF @ 50V | |
パワー - 最大 | - | |
その他の名前 | 917-1110-2 917-1110-1 917-1110-6 |
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