SI4931DY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

NOVA部品番号:

303-2361103-SI4931DY-T1-E3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI4931DY-T1-E3

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOIC
基本製品番号	SI4931
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	6.7A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1V @ 350µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	52nC @ 4.5V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	2 P-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	12V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	-
パワー - 最大	1.1W
その他の名前	SI4931DYT1E3 SI4931DY-T1-E3CT SI4931DY-T1-E3DKR SI4931DY-T1-E3TR

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！