SI4532CDY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

NOVA部品番号:

303-2251416-SI4532CDY-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI4532CDY-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SOIC

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOIC
基本製品番号	SI4532
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	6A, 4.3A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	9nC @ 10V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	N and P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	305pF @ 15V
パワー - 最大	2.78W
その他の名前	SI4532CDY-T1-GE3DKR SI4532CDY-T1-GE3CT SI4532CDY-T1-GE3-ND SI4532CDYT1GE3 SI4532CDY-T1-GE3TR

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