SI1029X-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 60V SC89-6

NOVA部品番号:

303-2250899-SI1029X-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI1029X-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

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ワシ

キッカド

Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SC-89 (SOT-563F)
基本製品番号	SI1029
パッケージ・ケース	SOT-563, SOT-666
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	305mA, 190mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	0.75nC @ 4.5V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	N and P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	30pF @ 25V
パワー - 最大	250mW
その他の名前	SI1029X-T1-GE3TR SI1029X-T1-GE3CT SI1029X-T1-GE3DKR SI1029XT1GE3

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