アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
FS45MR12W1M1B11BOMA1
MOSFET MODULE 1200V 50A
NOVA部品番号:
303-2248740-FS45MR12W1M1B11BOMA1
製造メーカー部品番号:
FS45MR12W1M1B11BOMA1
ひょうじゅんほうそう:
24
技術データシート:
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Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 25A (Tj) 20mW (Tc) Chassis Mount AG-EASY1BM-2
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Chassis Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | AG-EASY1BM-2 | |
| 基本製品番号 | FS45MR12 | |
| パッケージ・ケース | Module | |
| シリーズ | CoolSiC™+ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 25A (Tj) | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5.55V @ 10mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 62nC @ 15V | |
| FETの特徴 | Silicon Carbide (SiC) | |
| FETタイプ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1840pF @ 800V | |
| パワー - 最大 | 20mW (Tc) | |
| その他の名前 | SP001686600 |
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