Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2)
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 6-UDFN (2x2) | |
基本製品番号 | SSM6N58 | |
パッケージ・ケース | 6-WDFN Exposed Pad | |
シリーズ | - | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 4A | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 84mOhm @ 2A, 4.5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 1mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V | |
FETの特徴 | Logic Level Gate, 1.8V Drive | |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 129pF @ 15V | |
パワー - 最大 | 1W | |
その他の名前 | SSM6N58NULFCT SSM6N58NULF SSM6N58NULFTR SSM6N58NULFDKR SSM6N58NU,LF(T SSM6N58NU,LF(B |
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