Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | |
製造元 | onsemi | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
基本製品番号 | MMUN2232 | |
シリーズ | - | |
抵抗 - ベース (R1) | 4.7 kOhms | |
抵抗 - エミッタ ベース (R2) | 4.7 kOhms | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 15 @ 5mA, 10V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | |
パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 500nA | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 50 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 100 mA | |
トランジスタの種類 | NPN - Pre-Biased | |
パワー - 最大 | 246 mW | |
その他の名前 | MMUN2232LT1GOSCT 2156-MMUN2232LT1G-OS MMUN2232LT1GOSTR MMUN2232LT1GOSDKR MMUN2232LT1GOS MMUN2232LT1GOS-ND ONSONSMMUN2232LT1G |
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