Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SMT3; MPAK
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | |
製造元 | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | SMT3; MPAK | |
基本製品番号 | PDTA11 | |
シリーズ | - | |
抵抗 - ベース (R1) | 10 kOhms | |
抵抗 - エミッタ ベース (R2) | 10 kOhms | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 30 @ 5mA, 5V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 150mV @ 500µA, 10mA | |
パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 1µA | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 50 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 100 mA | |
トランジスタの種類 | PNP - Pre-Biased | |
パワー - 最大 | 250 mW | |
その他の名前 | PDTA114EK T/R 934036750115 PDTA114EK T/R-ND 954-PDTA114EK115 |
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