Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | |
製造元 | Renesas Electronics America Inc | |
RoHS | 1 | |
シリーズ | - | |
抵抗 - ベース (R1) | 22 Ohms | |
抵抗 - エミッタ ベース (R2) | 22 Ohms | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 60 @ 50mA, 5V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 200mV @ 250µ, 5mA | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 100nA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 50 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 100 mA | |
トランジスタの種類 | NPN - Pre-Biased | |
パワー - 最大 | 200 mW |
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