Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW Through Hole TO-92S
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | |
製造元 | onsemi | |
RoHS | 1 | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92S | |
基本製品番号 | FJNS42 | |
シリーズ | - | |
抵抗 - ベース (R1) | 47 kOhms | |
抵抗 - エミッタ ベース (R2) | 47 kOhms | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 68 @ 5mA, 5V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
周波数 - 遷移 | 200 MHz | |
パッケージ・ケース | TO-226-3, TO-92-3 Short Body | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 100nA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 50 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 100 mA | |
トランジスタの種類 | PNP - Pre-Biased | |
パワー - 最大 | 300 mW |
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