Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-323 | |
基本製品番号 | BCR112 | |
シリーズ | - | |
抵抗 - ベース (R1) | 4.7 kOhms | |
抵抗 - エミッタ ベース (R2) | 4.7 kOhms | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 20 @ 5mA, 5V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
周波数 - 遷移 | 140 MHz | |
パッケージ・ケース | SC-70, SOT-323 | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 100nA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 50 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 100 mA | |
トランジスタの種類 | NPN - Pre-Biased | |
パワー - 最大 | 250 mW | |
その他の名前 | BCR 112W E6327 BCR 112W E6327-ND BCR112WE6327 BCR112WE6327BTSA1TR BCR112WE6327XT SP000010748 |
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