Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA 300MHz 800 mW Through Hole TO-39
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
製造元 | NTE Electronics, Inc | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-39 | |
シリーズ | - | |
パッケージ・ケース | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 100 @ 150mA, 10V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 1V @ 50mA, 500mA | |
周波数 - 遷移 | 300MHz | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 10nA | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 40 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 800 mA | |
トランジスタの種類 | NPN | |
パワー - 最大 | 800 mW | |
その他の名前 | 2368-NTE123 |
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