Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
製造元 | onsemi | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-126 | |
基本製品番号 | BD682 | |
シリーズ | - | |
パッケージ・ケース | TO-225AA, TO-126-3 | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 750 @ 1.5A, 3V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 2.5V @ 30mA, 1.5A | |
周波数 - 遷移 | - | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 500µA | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 100 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 4 A | |
トランジスタの種類 | PNP - Darlington | |
パワー - 最大 | 40 W | |
その他の名前 | 2156-BD682G-OS BD682GOS ONSONSBD682G |
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