Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 145MHz 830 mW Through Hole TO-92-3
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
製造元 | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
基本製品番号 | BC64 | |
シリーズ | - | |
パッケージ・ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 63 @ 150mA, 2V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | |
周波数 - 遷移 | 145MHz | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 100nA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 80 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 1 A | |
トランジスタの種類 | PNP | |
パワー - 最大 | 830 mW | |
その他の名前 | 933221970126 BC640 AMO BC640 AMO-ND |
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