Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
製造元 | Central Semiconductor Corp | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
シリーズ | - | |
パッケージ・ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 200mV @ 5mA, 50mA | |
周波数 - 遷移 | 300MHz | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 50nA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 160 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 600 mA | |
トランジスタの種類 | NPN | |
パワー - 最大 | 625 mW | |
その他の名前 | -2N5551-ND -2N5551CS-ND 2N5551CS-ND -2N5551 2N5551CS -1583-2N5551TIN/LEAD 1514-2N5551TIN/LEAD 2N5551_D26Z -2N5551CS TIN/LEAD |
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