Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2.5 A 350MHz 800 mW Through Hole TP
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
製造元 | onsemi | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TP | |
基本製品番号 | 2SC6098 | |
シリーズ | - | |
パッケージ・ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 300 @ 100mA, 5V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 165mV @ 50mA, 1A | |
周波数 - 遷移 | 350MHz | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 1µA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 80 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 2.5 A | |
トランジスタの種類 | NPN | |
パワー - 最大 | 800 mW | |
その他の名前 | ONSONS2SC6098-E 2156-2SC6098-E-ON |
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。