Bipolar (BJT) Transistor - 300 V 1 A 20MHz 20 W Through Hole TO-66
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
製造元 | General Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | - | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-66 | |
シリーズ | - | |
パッケージ・ケース | TO-213AA, TO-66-2 | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 25 @ 500mA, 5V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 400mV @ 100mA, 1A | |
周波数 - 遷移 | 20MHz | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 1µA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 300 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 1 A | |
トランジスタの種類 | - | |
パワー - 最大 | 20 W | |
その他の名前 | 2156-2N5661 GSIGSI2N5661 |
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