Bipolar (BJT) Transistor NPN 225 V 5 A - 50 W Through Hole TO-66
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
製造元 | General Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-66 | |
シリーズ | - | |
パッケージ・ケース | TO-213AA, TO-66-2 | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 10 @ 3A, 5V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 2.5V @ 1A, 5A | |
周波数 - 遷移 | - | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 1mA | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 225 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 5 A | |
トランジスタの種類 | NPN | |
パワー - 最大 | 50 W | |
その他の名前 | 2156-2N6233 GSIGSI2N6233 |
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