Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 1 A 200MHz 830 mW Through Hole TO-92-3
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
製造元 | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
基本製品番号 | BC87 | |
シリーズ | - | |
パッケージ・ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 2000 @ 500mA, 10V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 1.8V @ 1mA, 1A | |
周波数 - 遷移 | 200MHz | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 50nA | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 80 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 1 A | |
トランジスタの種類 | NPN - Darlington | |
パワー - 最大 | 830 mW | |
その他の名前 | 933467630112 BC879 BC879-ND |
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