Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 20 W Through Hole TO-251 (IPAK)
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
製造元 | STMicroelectronics | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-251 (IPAK) | |
基本製品番号 | MJD122 | |
シリーズ | - | |
パッケージ・ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 1000 @ 4A, 4V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 4V @ 80mA, 8A | |
周波数 - 遷移 | - | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 10µA | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 100 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 8 A | |
トランジスタの種類 | NPN - Darlington | |
パワー - 最大 | 20 W | |
その他の名前 | MJD122-1-ND 497-16183 |
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。