BDX33C

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NOVA部品番号:
301-2029138-BDX33C
製造メーカー部品番号:
BDX33C
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 70 W Through Hole TO-220AB

More Information
カテゴリトランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
製造元Harris Corporation
RoHS 1
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
基本製品番号 BDX33
シリーズ-
パッケージ・ケースTO-220-3
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce 750 @ 3A, 3V
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic 2.5V @ 6mA, 3A
周波数 - 遷移-
電流 - コレクタカットオフ (最大)500µA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)100 V
電流 - コレクタ (Ic) (最大) 10 A
トランジスタの種類NPN - Darlington
パワー - 最大 70 W
その他の名前2156-BDX33C
ONSONSBDX33C

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。