Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 50 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
製造元 | NTE Electronics, Inc | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92 (TO-226) | |
シリーズ | - | |
パッケージ・ケース | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 400 @ 100µA, 5V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 500mV @ 1mA, 10mA | |
周波数 - 遷移 | 50MHz | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 50nA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 25 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 50 mA | |
トランジスタの種類 | NPN | |
パワー - 最大 | 625 mW | |
その他の名前 | 2368-2N5089 |
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。