Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1.2 A - 625 mW Through Hole TO-92-3
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
製造元 | onsemi | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
基本製品番号 | BC517 | |
シリーズ | - | |
パッケージ・ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 30000 @ 20mA, 2V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 1V @ 100µA, 100mA | |
周波数 - 遷移 | - | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 100nA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 30 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 1.2 A | |
トランジスタの種類 | NPN - Darlington | |
パワー - 最大 | 625 mW | |
その他の名前 | BC517_D74ZCT BC517_D74ZTB-ND BC517_D74Z BC517_D74ZTB BC517-D74ZCT BC517_D74ZCT-ND BC517_D74Z-ND BC517-D74ZTB |
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