Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
製造元 | NXP Semiconductors | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-236AB | |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 20000 @ 100mA, 5V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 1.5V @ 100µA, 100mA | |
周波数 - 遷移 | 125MHz | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 100nA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 30 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 500 mA | |
トランジスタの種類 | NPN - Darlington | |
パワー - 最大 | 250 mW | |
その他の名前 | 2156-PMBTA14,215-954 |
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