Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA - 20 W Through Hole TO-126
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
製造元 | onsemi | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-126 | |
基本製品番号 | MJE350 | |
シリーズ | - | |
パッケージ・ケース | TO-225AA, TO-126-3 | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 30 @ 50mA, 10V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | - | |
周波数 - 遷移 | - | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 100µA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 300 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 500 mA | |
トランジスタの種類 | PNP | |
パワー - 最大 | 20 W | |
その他の名前 | 2156-MJE350G-OS ONSONSMJE350G MJE350GOS |
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